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Tungsten Bar Grade WB-1

Tungsten Bar Grade WB-1

Its high level of electrical conductivity and its low diffusion into adjoining layers make tungsten an important component in thin-film transistors. It has the highest melting point of all metals and is used for processing material, making it suitable for very high temperature applications as...

Envíeconsulta
  • Descripción

    Su alto nivel de conductividad eléctrica y su baja difusión hacia las capas contiguas convierten al tungsteno en un componente importante en transistores de película fina. El cuenta con un punto de fusión más alto de todos los metales y se utiliza para el material de procesamiento, por lo cual también es apropiado para aplicaciones con temperaturas muy altas. También se caracteriza por su coeficiente de expansión térmica extraordinariamente bajo y una elevada estabilidad dimensional.

    Aplicacions

    • Componentes eléctricos de vacío

    • Producción de elementos de calefacción.

    • Producción de partes eléctricas.

    DescripciónValor - UnidadEspecificacion
    Densidad g/cm318.1
    Límite Elástico kg/cm25812.38
    Carga máxima a la tracción kg/cm29177.44
    Alargamiento sobre 25mm %15
    Dureza Brinell270
    DescripciónValor - UnidadEspecificacion
    Conductividad térmica K/mK93
    Conductividad Eléctrica >14% IACS177W
    ElementoPorcentaje %
    Wolframio - W95.00 máx
    Níquel - Ni3.50 máx
    Hierro - Fe1.50 máx


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